русский english
СПОСІБ ПІДВИЩЕННЯ ФОТОПРОВІДНОСТІ КРИСТАЛІВ ХАЛЬКОГЕНІДУ ІНДИНАТУ ТАЛІЮ (TlInSe2)
2017-02-19
Активний до:
2018-02-20
Анотація пропозиції:
Східноєвропейський національний університет розробив корисну модель, яка належить до галузі виробництва напівпровідникових матеріалів і може бути використана у приладах з сенсорним керуванням, а також у техніці гама-випромінювання, зокрема при виготовленні детекторів теплових нейтронів.
Опис пропозиції:
Зразки легованих монокристалів TlInSe2 для подальшого дослідження отримують шляхом природного сколу від масивних монокристалів. Такі зразки мають форму монокристалічних блоків, а як матеріали електричних контактів використовують галій-індієву евтектику, яку наносять на торець та поверхню зразка методом втирання. Омічність контактів зберігається у широкому інтервалі температур і напруг, і перевіряється в кожному конкретному випадку перед проведенням експериментальних досліджень. Як спектрограф використовується монохроматор МДР-208 з кремнієвим фотоприймачем.
Для кристалів TlInSe2 - GeSe2 (TlInSe2 – SiSe2) із збільшенням х спостерігається зменшення максимуму власної фотопровідності, що пояснюється зростанням концентрації s-центрів рекомбінації. В той же час великий домішковий фотострум свідчить про те, що при статистичному заміщенні індію на германій Ge(Si) утворюються центри повільної рекомбінації (r-центри). Такими центрами можуть бути катіонні вакансії, а саме VТІ, концентрація яких згідно з рентгеноструктурними дослідженнями збільшується із зростанням х. Зростання концентрації s-центрів рекомбінації слабо впливає на домішкову фотопровідність, оскільки при домішковому збудженні вільні електрони не утворюються і s-центри практично не беруть участь у рекомбінації.
При збільшенні температури відбувається збільшення домішкової фотопровідності. Оскільки відбувається фотозбудження електрона з акцепторного рівня у зону провідності. Дірка, яка утворилась при цьому на акцепторному рівні при високій температурі, термічно дозбуджується у валентну зону. З пониженням температури відбувається заповнення дірками акцепторних рівнів, що веде до зменшення можливості електронних переходів з акцепторного рівня в зону провідності та до «виморожування» домішкової фотопровідності.
Інновації і переваги пропозиції:
Спосіб підвищення фотопровідності монокристалів TlInSe2 надає можливість оцінювати та підвищувати домішкову фотопровідність у великому діапазоні довжин хвиль при суттєвому зниження вартості процесу легування, за рахунок використання більш дешевої лігатури – кремнію (Si) та германію (Ge).
Додаткова інформація (технічні подробиці)
Технологічні ключові слова:
Електроніка, мікроелектроніка; Напівпровідники
Короткі коди сфер ринкового застосування:
Напівпровідники
Поточна стадія розвитку:
НДР, лабораторні випробування
Права інтелектуальної власності:
Патент отриманий
Коментарі, дата і номер патенту, якщо є:
Патент України, 2016 р.
Тип потрібної співпраці:
Ліцензійна угода; Адаптація до потреб замовника
Тип шуканого партнера:
Замовники технології
Сфера діяльності партнера:
Сенсорна електроніка, оптоелектроніка.
Задачі, що стоять перед партнером:
Спільне впровадження технології
Країни, яким надається перевага:
Країни СНД, Євросоюз
Вид організації:
Установа
Організація / Тип компанії:
Дослідний інститут / Університет
Розмір організації - автора профілю:
> 500 співробітників
Центр, що надав профіль
Східно-європейський національний університет імені Л.Українки
Виявити зацікавлення
Компанія *
Контактна особа *
Країна *
Місто *
Контактувати за допомогою
Ел.скринька *
Адреса
Індекс
Телефон *
Факс
Повідомлення *
Код *


Copyright © 2008-2013 Електронна платформа UTTN
Copyright © 2013 NTTN, Innovation Network. All Rights Reserved.